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TSM042N03CS RLG /MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
TSM042N03CS RLG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:3.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:13.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42.8 ns

典型接通延迟时间:12.6 ns

供应商TSM042N03CS RLG
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